Memoria para Notebook DDR3 4GB 1600Mhz Samsung / Hynix / Micron Low Volt

Características Marca Samsung Linha Notebook Modelo M471B5173QH0-YK0 Capacidade 4 GB Tipo de memória SDRAM Tecnologia de memória DDR3 SDRAM Formato de memória SODIMM Velocidade da memória 1600 MHz Computador Notebook Descrição SAMSUNG M471B5173QH0-YK0 4 GB DDR3L PC3-12800S CL11 512 MBX64 512MX8 1.35 V 204 P SODIMM Samsung DDR3L-1600 SODIMM 4GB PC3L-12800S Samsung Chip Notebook Memory (M471B5173QH0-YK0) Os módulos de memória da Samsung são projetados para uma ampla gama de aplicações para oferecer o melhor desempenho com baixos requisitos de energia. Características técnicas: - Código do produto no fabricante: M471B5173QH0-YK0 - Marca: Samsung - Capacidade de armazenamento de dados: 4 GB - Tipo de memória: DDR3L PC3L-12800S (DDR3L-1600) - Modelo: 4GB 1Rx8 - Frequência de trabalho (velocidade): 1600 MHz - Soquete: 204 pinos - Formato: SODIMM - Tensão de alimentação: 1,35 V - Dimensões do módulo: 69 x 31 mm Conteúdo da Embalagem: - Memória 4GB 1600 Mhz DDR3L P/ Notebook Garantia: 06 meses de garantia Peso: 15 gramas